Продукція > VISHAY > SI7611DN-T1-GE3
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3 Vishay

doc69939.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7611DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7611DN-T1-GE3 за ціною від 38.39 грн до 134.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7611dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.12 грн
6000+ 46.45 грн
9000+ 44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7611dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.88 грн
6000+ 51.22 грн
9000+ 49.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7611dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7611dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+67.81 грн
6000+ 67.15 грн
9000+ 66.48 грн
15000+ 63.46 грн
24000+ 58.16 грн
30000+ 55.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7611dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+69.49 грн
6000+ 63.5 грн
12000+ 59.09 грн
18000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000786661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 59221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+74.29 грн
500+ 62.57 грн
1000+ 50.02 грн
5000+ 49.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7611dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+93.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7611dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 11519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.29 грн
10+ 88.91 грн
100+ 70.76 грн
500+ 56.19 грн
1000+ 47.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7611dn.pdf MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 9283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.26 грн
10+ 102.49 грн
100+ 70.79 грн
500+ 59.56 грн
1000+ 50.57 грн
3000+ 47.89 грн
6000+ 46.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7611dn.pdf Description: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 55928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+134.92 грн
10+ 103.22 грн
100+ 88.59 грн
250+ 74.19 грн
500+ 60.96 грн
1000+ 53.5 грн
3000+ 48.49 грн
15000+ 43.4 грн
27000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7611dn.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7611DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7611dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -18A; Idm: -20A; 25W
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -18A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7611DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7611dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -18A; Idm: -20A; 25W
Mounting: SMD
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -18A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній