SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 52.89 грн |
| 6000+ | 49.01 грн |
| 9000+ | 47.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7540ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7540ADP-T1-GE3 за ціною від 38.06 грн до 131.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 115615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 3.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual |
на замовлення 9632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 7039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 115545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.5W Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 12/-9A On-state resistance: 43/19.5mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 48/27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| SI7540ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.5W Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 12/-9A On-state resistance: 43/19.5mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 48/27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |