SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 81.54 грн |
| 6000+ | 75.57 грн |
| 9000+ | 73.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7489DP-T1-E3 за ціною від 77.57 грн до 193.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 53073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 14193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI7489DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A Drain-source voltage: -100V Drain current: -28A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7489DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -28A; Idm: -40A Drain-source voltage: -100V Drain current: -28A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |