на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 100.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7478DP-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 20A; Idm: 60A; 5.4W, Power dissipation: 5.4W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® SO8, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 20A, On-state resistance: 8.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 160nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7478DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7478DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
SI7478DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7478DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 20A; Idm: 60A; 5.4W Power dissipation: 5.4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A On-state resistance: 8.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 160nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| SI7478DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 20A; Idm: 60A; 5.4W Power dissipation: 5.4W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A On-state resistance: 8.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 160nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |