SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 36.25 грн |
| 6000+ | 33.24 грн |
| 9000+ | 31.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7465DP-T1-E3 за ціною від 34.8 грн до 89.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V |
на замовлення 20615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 161076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
10 SOP8 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
SI7465DP-T1-E3 Код товару: 199543 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
SI7465DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI7465DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5A; Idm: -25A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |