на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7463ADP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7463ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 46 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7463ADP-T1-GE3 за ціною від 31.08 грн до 101.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7463ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7463ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V |
на замовлення 8610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7463ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 40417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7463ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 46 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI7463ADP-T1-GE3 Код товару: 176105 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| SI7463ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A; 25W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -46A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 144nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7463ADP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A; 25W Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -46A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 144nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -70A Mounting: SMD |
товар відсутній |