Продукція > VISHAY > SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3 Vishay

Name: SI7461DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 13916203-5
Price: 71.75 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	71.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7461DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7461DP-T1-GE3 за ціною від 64.53 грн до 193.41 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	72.01 грн
6000+	66.74 грн
9000+	64.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	73.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	78.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	84.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	113.08 грн
500+	89.07 грн
1000+	70.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	122.57 грн
10+	110.71 грн
25+	110.09 грн
100+	92.56 грн
250+	85.16 грн
500+	77.79 грн
1000+	73.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	128.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	130.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
92+	132 грн
102+	118.56 грн
117+	99.68 грн
250+	91.71 грн
500+	83.78 грн
1000+	79.52 грн

Мінімальне замовлення: 92

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 5928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	133.97 грн
9+	94.87 грн
25+	89.8 грн
1000+	86.9 грн
3000+	86.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	140.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

на замовлення 35057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	160.18 грн
10+	127.75 грн
100+	101.67 грн
500+	80.73 грн
1000+	68.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 12179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	174.38 грн
10+	143.11 грн
100+	98.72 грн
500+	84.12 грн
1000+	72.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 5928 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	186.24 грн
3+	166.95 грн
9+	113.84 грн
25+	107.76 грн
1000+	104.28 грн
3000+	103.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 28542 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	193.41 грн
10+	142.72 грн
100+	113.08 грн
500+	89.07 грн
1000+	70.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SI7461DP-T1-GE3
Код товару: 196585

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній