Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3

SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

si7454fdp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.58 грн
6000+ 22.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7454FDP-T1-RE3 за ціною від 23.6 грн до 66.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7454FDP-T1-RE3 SI7454FDP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix si7454fdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 8472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.3 грн
10+ 46.86 грн
100+ 36.42 грн
500+ 28.97 грн
1000+ 23.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI7454FDP-T1-RE3 SI7454FDP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7454fdp.pdf MOSFET 100V N-CHANNEL (D-S)
на замовлення 60922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 52.54 грн
100+ 35.99 грн
500+ 30.43 грн
1000+ 26.22 грн
3000+ 26.15 грн
9000+ 24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7454FDP-T1-RE3 Виробник : VISHAY si7454fdp.pdf SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній