SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.82 грн |
| 10+ | 161.6 грн |
| 100+ | 113.55 грн |
| 500+ | 93.68 грн |
| 1000+ | 77.36 грн |
| 3000+ | 71.68 грн |
| 6000+ | 68.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 7.8A, On-state resistance: 40mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 4.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 30A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7454DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7454DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI7454DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7454DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 4.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товару немає в наявності |