на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7454DDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції SI7454DDP-T1-GE3 за ціною від 37.74 грн до 132.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 64194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 41050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |