SI7450DP-T1-E3 Vishay
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7450DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7450DP-T1-E3 за ціною від 81.34 грн до 210.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 5942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI7450DP |
на замовлення 25334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
03+ |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+PBF |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
1035+ QFN8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| Si7450DP-T1E3 | Виробник : VISHAY | 10+ 5D18 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7450DPT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |