![SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8_SPL.jpg)
SI7434ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.58 грн |
10+ | 113.97 грн |
100+ | 78.72 грн |
250+ | 72.39 грн |
500+ | 66 грн |
1000+ | 57.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7434ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 54.3W, Polarisation: unipolar, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.17Ω, Drain current: 12.3A, Drain-source voltage: 250V, Case: PowerPAK® SO8, Gate charge: 16.5nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7434ADP-T1-RE3 за ціною від 65.32 грн до 142.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7434ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SI7434ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
SI7434ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 54.3W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: 12.3A Drain-source voltage: 250V Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 16.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
SI7434ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
SI7434ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 12.3A; Idm: 25A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 54.3W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: 12.3A Drain-source voltage: 250V Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 16.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
товар відсутній |