на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 110.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7431DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7431DP-T1-E3 за ціною від 127.96 грн до 286.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7431DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7431DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V |
на замовлення 4037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7431DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 7173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7431DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -3.8A; Idm: -30A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: -3.8A Drain-source voltage: -200V Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 135nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7431DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -200V; -3.8A; Idm: -30A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain current: -3.8A Drain-source voltage: -200V Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 135nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |