SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7414DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7414DN-T1-E3 за ціною від 42.47 грн до 128.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7414DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 1.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 49234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7414DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 20637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI7414DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7414DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.6A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI7414DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 5.6A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
товару немає в наявності |