на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 31.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7315DN-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SI7315DN-T1-GE3 за ціною від 32.67 грн до 85.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V |
на замовлення 11035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 26214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Power dissipation: 33W Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -10A Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 315mΩ Drain current: -8.9A Drain-source voltage: -150V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Power dissipation: 33W Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -10A Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 315mΩ Drain current: -8.9A Drain-source voltage: -150V Polarisation: unipolar |
товар відсутній |