Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7308dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7308DN-T1-GE3 за ціною від 28.64 грн до 85.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
329+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 329
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+60.62 грн
210+ 57.8 грн
235+ 51.56 грн
244+ 47.77 грн
500+ 35.78 грн
1000+ 34.27 грн
Мінімальне замовлення: 200
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7308dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.16 грн
10+ 62.72 грн
100+ 48.81 грн
500+ 38.83 грн
1000+ 31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+82.94 грн
10+ 67.46 грн
25+ 66.72 грн
100+ 50.37 грн
250+ 44.83 грн
500+ 37.12 грн
1000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7308dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.37 грн
10+ 68.28 грн
100+ 45.72 грн
500+ 38.75 грн
1000+ 31.43 грн
3000+ 29.2 грн
6000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay 73419.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7308DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7308DN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 20A; 12.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7308DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI7308DN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 20A; 12.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній