Продукція > VISHAY > SI7308DN-T1-E3
SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3 Vishay


si7308dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
322+37.59 грн
1000+ 35.12 грн
Мінімальне замовлення: 322
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7308DN-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 19.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7308DN-T1-E3 за ціною від 27.95 грн до 99.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.72 грн
15+ 40.77 грн
25+ 40.36 грн
50+ 38.52 грн
100+ 33.23 грн
250+ 31.58 грн
500+ 29.92 грн
1000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 73419.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 19951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.32 грн
10+ 56.18 грн
100+ 40.28 грн
500+ 35.54 грн
1000+ 30.52 грн
3000+ 29.69 грн
6000+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 73419.pdf Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.29 грн
10+ 82.87 грн
100+ 60.43 грн
500+ 46.32 грн
1000+ 33.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73419.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73419.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7308DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 73419.pdf 09+
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Виробник : Vishay 73419.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7308DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 73419.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 20A; 19.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7308DN-T1-E3 Виробник : VISHAY 73419.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 20A; 19.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 19.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній