Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7220DN-T1-GE3
SI7220DN-T1-GE3

SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

73117.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.72 грн
6000+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual.

Інші пропозиції SI7220DN-T1-GE3 за ціною від 49.44 грн до 137.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7220DN-T1-GE3 SI7220DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 73117.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 25679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.93 грн
10+ 76.17 грн
100+ 52.74 грн
500+ 49.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7220DN-T1-GE3 SI7220DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 73117.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 70939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.4 грн
10+ 118.55 грн
100+ 95.29 грн
500+ 73.47 грн
1000+ 60.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7220DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 73117.pdf SI7220DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній