![SI7192DP-T1-GE3 SI7192DP-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8_SPL.jpg)
SI7192DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.91 грн |
10+ | 191.55 грн |
25+ | 156.81 грн |
100+ | 134.5 грн |
250+ | 126.84 грн |
500+ | 119.87 грн |
1000+ | 102.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7192DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 104W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 135nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7192DP-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SI7192DP-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SI7192DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 135nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |