Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7178DP-T1-GE3
SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7178dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+91.8 грн
6000+ 85.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7178DP-T1-GE3 за ціною від 87.33 грн до 221.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7178dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 8552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.45 грн
10+ 162.79 грн
100+ 129.61 грн
500+ 102.92 грн
1000+ 87.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7178dp.pdf MOSFETs 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.9 грн
10+ 182.01 грн
100+ 126.33 грн
500+ 107.17 грн
1000+ 97.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7178DP-T1-GE3 si7178dp.pdf
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7178DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7178dp.pdf SI7178DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності