на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 78.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7174DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7174DP-T1-GE3 за ціною від 102.45 грн до 250.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 10757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.25W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 66.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 66.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7174DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 60A; Idm: 80A; 66.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 60A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 66.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |