на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 87.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7164DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7164DP-T1-GE3 за ціною від 91.13 грн до 229.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 14236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V |
на замовлення 5271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 18065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7164DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.00625 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 14236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7164DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SI7164DP-T1-GE3 Код товару: 164214 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 6.25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI7164DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 80A; 104W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A On-state resistance: 6.25mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC Technology: TrenchFET® |
товар відсутній |