SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 64.58 грн |
| 6000+ | 59.85 грн |
| 9000+ | 57.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7155DP-T1-GE3 за ціною від 61.43 грн до 624 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 28814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V |
на замовлення 27139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7155DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 48785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 231672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 12900 @ -20; Qg, нКл = 220; Rds = 4,6 мОм; Р, Вт = 104; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK-SO-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -100A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 330nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI7155DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -100A; Idm: -200A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -100A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 104W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 330nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |