Продукція > VISHAY > SI7149ADP-T1-GE3

SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Name: SI7149ADP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 365064-7
Price: 18.6 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	18.6 грн

Мінімальне замовлення: 6000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7149ADP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7149ADP-T1-GE3 за ціною від 18.49 грн до 81.66 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	23.55 грн
6000+	21.49 грн
9000+	19.9 грн
30000+	18.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	26.03 грн
9000+	25.48 грн
24000+	24.93 грн
45000+	22.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm

на замовлення 26871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	40.44 грн
500+	25.94 грн
1500+	23.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7149ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 31423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
14+	58.4 грн
50+	47.95 грн
100+	37.43 грн
500+	26.01 грн
1500+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 14

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
202+	60.71 грн
204+	60.1 грн
205+	59.8 грн
268+	44.09 грн
272+	40.27 грн
500+	30.64 грн
1000+	24.35 грн
3000+	22.87 грн

Мінімальне замовлення: 202

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 15 V

на замовлення 32428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	61.81 грн
10+	51.73 грн
100+	35.81 грн
500+	28.08 грн
1000+	23.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 133393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	64.27 грн
10+	53.62 грн
100+	32.59 грн
500+	28.64 грн
1000+	24.41 грн
3000+	21.73 грн
6000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	65.01 грн
11+	56.38 грн
25+	55.81 грн
50+	53.54 грн
100+	37.91 грн
250+	35.89 грн
500+	28.45 грн
1000+	22.61 грн
3000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 31W; PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V

на замовлення 3386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	68.05 грн
10+	37.62 грн
25+	33.29 грн
30+	29.3 грн
81+	27.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3386 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	81.66 грн
6+	46.88 грн
25+	39.94 грн
30+	35.15 грн
81+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Siliconix

P-MOSFET 30V 50A 5.2mΩ 48W SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 20

SI7149ADP-T1-GE3

Виробник : Vishay

P-MOSFET 30V 50A 5.2mΩ 48W SI7149ADP-TI-GE3 Vishay TSI7149adp
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 20