![SI7148DP-T1-GE3 SI7148DP-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742;5881;DP;8.jpg)
SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
![73314.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 96.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7148DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V.
Інші пропозиції SI7148DP-T1-GE3 за ціною від 92.18 грн до 403.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V |
на замовлення 5367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 10408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 28A; Idm: 60A; 61W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 61W Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 75V Drain current: 28A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI7148DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 28A; Idm: 60A; 61W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 61W Gate charge: 0.1µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 75V Drain current: 28A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |