SI7143DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 69.8 грн |
| 500+ | 54.68 грн |
| 1000+ | 43.72 грн |
| 3000+ | 42.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7143DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7143DP-T1-GE3 за ціною від 38.79 грн до 113.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 44910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7143DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0083 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 35.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI7143DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 35.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 71nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |