![SI7137DP-T1-GE3 SI7137DP-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B5881%3BDP%3B8.jpg)
SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si7137dp.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 69.95 грн |
6000+ | 64.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7137DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7137DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0016 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7137DP-T1-GE3 за ціною від 65.91 грн до 189.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V |
на замовлення 11441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 20100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 32198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 585nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI7137DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; Idm: -100A; 66.6W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -60A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 585nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |