Продукція > VISHAY > SI7120ADN-T1-GE3
SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3 Vishay

si7120adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7120ADN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7120ADN-T1-GE3 за ціною від 39.47 грн до 207.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7120adn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001112964-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.2 грн
10+ 86 грн
100+ 66.77 грн
500+ 52.49 грн
1000+ 39.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7120ad.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.71 грн
10+ 96.17 грн
100+ 64.6 грн
500+ 52.62 грн
1000+ 42.72 грн
3000+ 40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7120ad.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.14 грн
10+ 107.95 грн
100+ 84.15 грн
500+ 65.24 грн
1000+ 51.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7120adn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Si7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7120ad.pdf Транз. Пол. БМ PowerPAK® 1212-8 MOSFET N-channel 60 V; 6 A; 21mohm@9.5A, 10V Pmax=1,5 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.14 грн
10+ 181.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
Si7120ADN-T1-GE3 si7120ad.pdf
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7120dn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
SI7120ADN-T1-GE3 SI7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7120adn.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товар відсутній
Si7120ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7120ad.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si7120ADN-T1-GE3 Si7120ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7120ad.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товар відсутній
Si7120ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7120ad.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 9.5A; Idm: 40A
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній