на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 48.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7113DN-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7113DN-T1-E3 за ціною від 79.25 грн до 220.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 97460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V |
на замовлення 15386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7113DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7113DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ SOP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7113DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7113DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |