на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7113ADN-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7113ADN-T1-GE3 за ціною від 15.59 грн до 140.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 7910 шт: термін постачання 470-479 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 50 V |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Trans MOSFET P-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7113adn кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10.8A; Idm: -20A; 17.8W Drain-source voltage: -100V Drain current: -10.8A On-state resistance: 132mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 17.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7113ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10.8A; Idm: -20A; 17.8W Drain-source voltage: -100V Drain current: -10.8A On-state resistance: 132mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 17.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
товар відсутній |