![SI7112DN-T1-E3 SI7112DN-T1-E3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_1212_8_SPL.jpg)
SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.03 грн |
10+ | 118.61 грн |
100+ | 82.24 грн |
250+ | 78.75 грн |
500+ | 68.72 грн |
1000+ | 57.57 грн |
3000+ | 56.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7112DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 17.8A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 8.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7112DN-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 622 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
SI7112DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 17.8A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.8A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |