на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 154.72 грн |
10+ | 126.55 грн |
100+ | 88.17 грн |
250+ | 80.41 грн |
500+ | 73.36 грн |
1000+ | 62.78 грн |
3000+ | 59.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7110DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 21.1A, On-state resistance: 7.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7110DN-T1-GE3 за ціною від 72.23 грн до 162.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7110DN-T1-GE3 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
||||||||||||||
SI7110DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |