на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 152.48 грн |
10+ | 124.72 грн |
100+ | 86.9 грн |
250+ | 79.25 грн |
500+ | 72.3 грн |
1000+ | 61.87 грн |
3000+ | 58.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7110DN-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 21.1A, On-state resistance: 7.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7110DN-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 21.1A 0.0053Ohm |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ |
на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
||
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
||
SI7110DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21.1A; Idm: 60A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 21.1A On-state resistance: 7.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |