SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 67.8 грн |
| 6000+ | 63.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W, Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 22A, On-state resistance: 6.1mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±16V, Pulsed drain current: 60A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7108DN-T1-E3 за ціною від 65.81 грн до 174 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7108DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8 |
на замовлення 17800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7108DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 22A 0.0049Ohm |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07PB |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 22A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7108DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 22A; Idm: 60A; 3.8W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 22A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A |
товар відсутній |