SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.34 грн |
| 10+ | 99.75 грн |
| 100+ | 77.79 грн |
| 500+ | 60.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 60A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 19.5A, On-state resistance: 9.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7106DN-T1-GE3 за ціною від 58.96 грн до 135.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 23917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 19.5A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI7106DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 19.5A; Idm: 60A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 19.5A On-state resistance: 9.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |