![SI6968BEDQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TSSOP_8_t.jpg)
SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 134181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.16 грн |
10+ | 60.76 грн |
100+ | 36.08 грн |
500+ | 30.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI6968BEDQ-T1-E3 за ціною від 36.76 грн до 92.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 11949 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.5W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||
SI6968BEDQ-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.5W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |