на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI6926ADQ-T1-GE3 за ціною від 23.7 грн до 73.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 9936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6926ADQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI6926ADQ-T1-GE3 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A Case: TSSOP8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI6926ADQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A Case: TSSOP8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD |
товар відсутній |