Продукція > VISHAY SILICONIX > SI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3

SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

72257.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+53.3 грн
6000+ 49.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI6423DQ-T1-GE3 за ціною від 50.7 грн до 128.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72257.pdf MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.02 грн
10+ 94.57 грн
100+ 67.39 грн
250+ 65.44 грн
500+ 57.98 грн
1000+ 52.27 грн
3000+ 50.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.36 грн
10+ 94.52 грн
100+ 75.25 грн
500+ 59.76 грн
1000+ 50.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS82174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 0.0068 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+128.21 грн
10+ 99.29 грн
100+ 74.19 грн
500+ 61.2 грн
1000+ 54.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay 72257.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній