SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 35.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI5908DC-T1-GE3 за ціною від 32.38 грн до 73.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 27707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 33407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.9A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
SI5908DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.9A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |