Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5515CDC-T1-E3
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix

si5515cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.

Інші пропозиції SI5515CDC-T1-E3 за ціною від 19.59 грн до 61.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Виробник : Vishay si5515cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.81 грн
10+ 46.87 грн
100+ 32.45 грн
500+ 25.45 грн
1000+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI5515CDC-T1-E3 SI5515CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si5515cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.6 грн
10+ 52.32 грн
100+ 31.58 грн
500+ 26.33 грн
1000+ 22.43 грн
3000+ 19.94 грн
6000+ 19.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI5515CDC-T1-E3 Виробник : VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності