SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.1 грн |
| 6000+ | 12.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI5513CDC-T1-GE3 за ціною від 13.14 грн до 49.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
на замовлення 8617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 44596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5513CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20/20V; -3.7/4A Mounting: SMD Power dissipation: 3.1W Gate charge: 5.6/4.2nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -3.7/4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20/20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 255/85mΩ Pulsed drain current: -8...10A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI5513CDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20/20V; -3.7/4A Mounting: SMD Power dissipation: 3.1W Gate charge: 5.6/4.2nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -3.7/4A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20/20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 255/85mΩ Pulsed drain current: -8...10A |
товар відсутній |