SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.04 грн |
| 6000+ | 25.71 грн |
| 9000+ | 24.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5504BDC-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI5504BDC-T1-E3 за ціною від 24.4 грн до 80.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W, 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 10705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI5513CDC-T1-GE3 |
на замовлення 113729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5504BDC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 |
|
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4/-3.7A Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3.7A On-state resistance: 235/100mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.1/3.12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4/-3.7A Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3.7A On-state resistance: 235/100mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.1/3.12W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
товар відсутній |