SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 41.29 грн |
| 6000+ | 37.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5476DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W, Power dissipation: 31W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, On-state resistance: 41mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 32nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI5476DU-T1-GE3 за ціною від 38.45 грн до 100.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI5476DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET |
на замовлення 12664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5476DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI5476DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W Power dissipation: 31W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI5476DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W Power dissipation: 31W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
товар відсутній |