![SI5471DC-T1-GE3 SI5471DC-T1-GE3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/5/34/52/98/vsh_/manual/74483-pt-medium.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5471DC-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Інші пропозиції SI5471DC-T1-GE3 за ціною від 17.56 грн до 59.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 70539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A Power dissipation: 6.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 96nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -25A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A Power dissipation: 6.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 96nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -25A |
товар відсутній |