SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.62 грн |
| 10+ | 37.72 грн |
| 100+ | 22.36 грн |
| 500+ | 18.69 грн |
| 1000+ | 15.94 грн |
| 3000+ | 15.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6A, On-state resistance: 51mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI5458DU-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товар відсутній |
|
|
|
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товар відсутній |
|
|
|
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товар відсутній |
|
| SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |