![SI5441BDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-E3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/7d73eb67a905eb2e61a9313cb6aa24f0775285b2/74483-pt-medium.jpg)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 39.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5441BDC-T1-E3 Vishay
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Mounting: SMD, On-state resistance: 80mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -6.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI5441BDC-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI5441BDC-T1-E3 |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
SI5441BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |