Технічний опис SI4965DYT1E3 VISHAY
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4965DYT1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4965DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ QFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4965DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI4965DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |