Продукція > VISHAY > SI4948BEY-T1-GE3
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3 Vishay

si4948be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4948BEY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-GE3 за ціною від 26.13 грн до 90.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.4 грн
5000+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.66 грн
5000+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.26 грн
5000+ 45.92 грн
10000+ 42.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.47 грн
500+ 42.98 грн
1000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
225+53.73 грн
227+ 53.42 грн
253+ 47.9 грн
259+ 45.13 грн
500+ 39.52 грн
1000+ 33.65 грн
Мінімальне замовлення: 225
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.74 грн
12+ 49.89 грн
25+ 49.6 грн
100+ 42.89 грн
250+ 38.8 грн
500+ 35.23 грн
1000+ 31.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4948be.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+55.51 грн
10+ 36.59 грн
25+ 31.72 грн
31+ 27.59 грн
84+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4948be.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.61 грн
6+ 45.59 грн
25+ 38.07 грн
31+ 33.1 грн
84+ 31.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 22635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.31 грн
10+ 67.24 грн
100+ 46.97 грн
500+ 41.19 грн
1000+ 34.5 грн
2500+ 31.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.2 грн
10+ 69.4 грн
100+ 54.02 грн
500+ 42.97 грн
1000+ 35 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+90.69 грн
11+ 71.77 грн
100+ 53.47 грн
500+ 42.98 грн
1000+ 36.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI4948BEY-T1-GE3
Код товару: 196052 		si4948be.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній