на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 31.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4946BEY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції SI4946BEY-T1-GE3 за ціною від 33.36 грн до 80.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A Power dissipation: 3.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 18834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V |
на замовлення 7582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A Power dissipation: 3.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 811 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |