Продукція > VISHAY > SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3 Vishay

si4946be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-E3 за ціною від 27.01 грн до 113.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.29 грн
5000+ 37.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.73 грн
5000+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.01 грн
5000+ 44.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866484.pdf Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 51238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.52 грн
500+ 54.02 грн
1000+ 46.19 грн
5000+ 42.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4946BEY-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+92.03 грн
10+ 70.54 грн
25+ 34.76 грн
67+ 32.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4946be.pdf MOSFETs 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 44608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.95 грн
10+ 78.83 грн
100+ 58.61 грн
250+ 56.45 грн
500+ 49.64 грн
1000+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.27 грн
10+ 78.65 грн
100+ 61.18 грн
500+ 48.66 грн
1000+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4946BEY-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.43 грн
10+ 87.9 грн
25+ 41.71 грн
67+ 39.45 грн
5000+ 39.19 грн
10000+ 37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866484.pdf Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 51141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+113.86 грн
10+ 85.79 грн
100+ 66.52 грн
500+ 54.02 грн
1000+ 46.19 грн
5000+ 42.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductor si4946be.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+39 грн
100+ 32.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.66 грн
10+ 41.57 грн
100+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4946be.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4946BEYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4946BEY-T1-E3 SI4946BEY-T1-E3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4946BEY-T1-E3
Код товару: 196051 		si4946be.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній